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【2h】

Tunable linearity enhancement for 180nm CMOS LNA with active feedback

机译：具有主动反馈的180nm CmOs LNa的可调谐线性增强

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farooq khaleel; Mohammed Abbas;
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年度 2017
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1. Tunable linearity enhancement for 180 nm complementary metala??oxidea??semiconductor LNA with active feedback [J] . Farooq Abdulghafoor Khaleel, Mohammed Nadhim Abbas The Journal of Engineering . 2017,第7期

机译：具有有源反馈的180 nm互补金属氧化物半导体LNA的可调线性增强
2. An Ultra-Low-Power Wideband Inductorless CMOS LNA With Tunable Active Shunt-Feedback [J] . Mahdi Parvizi, Karim Allidina, Mourad N. El-Gamal IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2016,第6期

机译：具有可调有源并联反馈的超低功耗宽带无电感CMOS LNA
3. An inductorless high linear UWB Cascode LNA with tunable active resistance feedback and post-linearization technique [J] . Chunbao Ding, Wanrong Zhang, Dongyue Jin, Microelectronics journal . 2013,第4期

机译：具有可调有源电阻反馈和后线性化技术的无电感器高线性UWB级联LNA
4. Enhanced Gm3 Cancellation For Linearity Improvement in CMOS LNAs [C] . Mallesh Rajashekharaiah, Parag Upadhyaya, Deukhyoun Heo, IEEE International Symposium on Circuits and Systems . 2006

机译：增强型GM3取消CMOS LNA的线性改善
5. Contrast enhancement in MRI by non-linear dynamics using active feedback techniques [D] . Furuyama, Jonathan Kiyoshi 2009

机译：使用主动反馈技术通过非线性动力学增强MRI的对比度
6. Design of a MEMS-Based Oscillator Using 180nm CMOS Technology [O] . Sukanta Roy, Harikrishnan Ramiah, Ahmed Wasif Reza, -1

机译：基于180nm CMOS技术的基于MEMS的振荡器设计
7. Active feedback receiver with integrated tunable RF channel selectivity, distortion cancelling, 48dB stopband rejection and >+12dBm wideband IIP3, occupying <0.06mm2 in 65nm CMOS [O] . Youssef Shadi, Zee Ronan van der, Nauta Bram 2012

机译：有源反馈接收器，集成可调谐RF信道选择性，失真消除，48dB阻带抑制和> + 12dBm宽带IIp3，在65nm CmOs中占用<0.06mm2

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